Двумерные материалы

Халгогениды переходных металлов на диэлектрических подложках. MoS2 и WS2 в виде плёнки получаются методом химического газофазного осаждения на поверхности сапфира или кремния с оксидом кремния.

Подробное описание метода получения и анализ образцов описаны в нашей статье, опубликованной в журнале MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS

 

Спасибо за Ваше обращение
Мы ответим Вам в течение 24 часов
Спасибо
Ждите новостей