Яндекс.Метрика Русграфен - свойства и методы получения графена
Закажите бесплатный образец через форму обратной связи
Задайте нам вопрос и получите ответ в течение 24 часов
Наши контакты

 

Тел.:
E-mail:

  • Facebook
  • Instagram

Что такое ГРАФЕН

Строение графена

 

Углерод — один из самых интересных элементов периодической таблицы Менделеева. Он имеет множество аллотропов. Некоторые из них, например, алмаз и графит, известны давно, в то время как другие открыты относительно недавно (10-15 лет назад) — фуллерены [1] и нанотрубки [2].

Двумерная форма углерода, названная графеном, хорошо изучена теоретически [3, 4, 5]. Следует отметить, что известный многие десятилетия графит представляет собой стопку листов графена. Графен рассматривали лишь как виртуальную модель для описания свойств других аллотропов углерода, в том числе, структур с различной размерностью: ноль-мерных структур – фуллеренов и одномерных структур – нанотрубок (рис. 1 [6]). Однако реальное существование такой формы углерода долгое время отрицалось. Но оказалось, что двумерная углеродная сетка толщиной в один атом реально существует. В 2004 году были экспериментально получены первые образцы [7].

Рис. 1. Графен – двухмерная форма углерода, являющаяся прародителем углеродных структур с различной размерностью:

0-мерная форма – фуллерен – молекула С60;

1-мерная форма – нанотрубка;

3х-мерная форма – графит, содержащий несколько графеновых плоскостей [6].

Атомная решётка и электронная структура графена

Рис. 2. а) Атомная решётка графена. Жёлтым цветом показана элементарная ячейка. e1 и e2 — векторы трансляций; б) Зонная структура графена. Зона проводимости касается  валентной зоны в особых точках К и К'  первой зоны Брюллиэна, причём вблизи этих точек диссперсия электронов имеет линейную зависимость.

Кристаллическая решётка графена (рис. 2а) представляет собой плоскость, состоящую из шестиугольных ячеек, то есть является двумерной гексагональной кристаллической решёткой [8, 9]. В элементарной ячейке кристалла находятся два атома, обозначенные как A и B. Тот факт, что носители заряда в графене описаны дираковским спектром, а не обычным уравнением Шредингера для нерелятивистских квантовых частиц, может быть интерпретирован как следствие кристаллической структуры графена. Она состоит из двух эквивалентных углеродных подрешеток A и B. Квантово-механический переход между подрешетками приводит к формированию двух групп энергии, и их пересечение около краев зоны Бриллюэна приводит к коническому спектру энергии. В результате квазичастицы в графене демонстрируют линейный характер дисперсии E = hkv, как будто они являются невесомыми релятивистскими частицами (как, например, фотоны), но роль скорости света здесь играет скорость Ферми v ≈ c/300. 

Методы получения графена

 

Теоретические исследования графена начались задолго до получения реальных образцов. В 30-40-х гг. прошлого века проведенные расчёты показали, что свободная двумерная плёнка должна быть термодинамически нестабильной. По этой причине монослойные структуры получали лишь на поверхности объёмных материалов. Первые шаги к изготовлению одиночных углеродных слоёв были сделаны в 60-70-х гг. с использованием коллоидных растворов оксида графита [10], [11] и с применением методов химического осаждения из газовой фазы углеводородов на металлические подложки [12] или на их карбиды [13]. В другом методе было показано, что высокотемпературная обработка карбида кремния с испарением кремния приводит к образованию однослойной углеродной плёнки. Реализуется, так называемый, эпитаксиальный рост [14], [15]. Однако во всех перечисленных выше работах были получены плёнки толщиной не менее 20-30 слоёв, которые по своей сути не являлись графеном. Подробный обзор ранних экспериментов по получению тонких графитовых слоёв сделан в работе [16]. В связи с существенным влиянием метода синтеза графена на его окончательные физические свойства представляется целесообразным детально рассмотреть наиболее распространённые методы формирования образцов этого материала.

Новый этап развития графена начался с получением однослойных и двухслойных образцов в 2004 году [7], когда учёные с помощью многократного использования адгезионной ленты отделили монослой графена от объёмного графита и перенесли его на кремниевую подложку с окислом толщиной 300 нм. После демонстрации в этих  работах уникальных электронных свойств графена началось бурное развитие графеновых исследований. Параллельно изучались разнообразные свойства графена, которые до этого были лишь теоретически предсказаны, исследовались новые методы получения экспериментальных образцов.

Таким образом графен делят на несколько категорий по способу его получения: 

   1. отщеплённый графен [7, 17, 18];

   2. химический графен [19-21];

   3. эпитаксиальный графен на металлах [22-35] или эпитаксиальный графен на SiC [36-39];

   4. CVD графен (на никеле [40-45] или на меди [46-49]).

Первый метод. От пластины объёмного хорошо ориентированного пиролитического графита с помощью адгезионной ленты отделяется тонкая плёнка толщиной в несколько сотен слоёв. Далее, при многократном повторении процедуры можно сформировать на ленте  однослойную графеновую плёнку. Эта углеродная плёнка переносится на подложку из окисленного кремния с фиксированной толщиной окисла (300 нм). Графен удерживается на подложке за счёт Ван-дер-Ваальсого взаимодействия (рис. 3). Наряду с монослоем графена на подложке также остаётся большое количество чешуек с поперечным размером не более 100 мкм, содержащих до 100 графеновых слоёв. Таким образом, обнаружение отдельного монослойного кластера размером не более 100 мкм на подложке с размером не более двух сантиметров становится весьма трудоёмким процессом. Однако бесспорное преимущество данной методики на сегодняшний день заключается в получении монослоя графена наивысшего качества. Такие образцы идеально подходят для проведения экспериментов по исследованию электронных свойств графена, измерению его проводимости или созданию прототипов устройств на основе графена, например, квантового транзистора. Единственным и очень существенным недостатком этого метода является отсутствие возможности его использования для масштабного производства графена из-за специфики метода – преимущественно ручной работы.

Рис.3 Схема получения образцов графена методом микромеханического отщепления.

Рис. 4. Пути получения графена через расщепление различных предшественников [50].

Второй метод - химический. Он, в свою очередь, подразумевает несколько возможных вариантов приготовления графен-содержащих суспензий (рис. 4). Наиболее ранним химическим методом считают получение графена восстановлением оксида графита. Этот эффективный подход к разделению графитовых слоёв основан на использовании химических окислителей, это приводит к окислению внутренних слоёв графита и, как следствие, к увеличению межслойного расстояния в кристалле и, соответственно, к снижению энергии взаимодействия между слоями. В результате облегчается возможность разделения графитовых слоёв в жидкой фазе, что позволяет синтезировать образцы оксида графена с поперечными размерами порядка нескольких сотен микрометров. Последующее восстановление графена из оксида производится также с использованием химического воздействия. Исследования показывают, что обычно поверхность окисленных слоёв графена содержит гидроксильные и эпоксидные группы, в том время как края листов могут заканчиваться карбоксильными и карбонильными группами. 

Другой разновидностью химического метода получения графена является жидкофазное расслоение графита. Простейший способ расслоения графита на отдельные графеновые листы основан на использовании поверхностно-активных органических жидкостей. Подобный подход использует слоистую структуру кристаллического графита, благодаря которой возможно проникновение атомов и молекул различной природы в пространство между слоями и увеличение расстояния между слоями. В результате оказывается возможным разделение графитовых слоёв при механическом воздействии на них. Длительная ультразвуковая обработка и центрифугирование мелкодисперсного графита в присутствии поверхностно-активного вещества (ПАВ) приводит к образованию суспензии, содержащей подвешенные однослойные листы графена, а также образцы графена, состоящие из нескольких слоёв. Суспензия, подготовленная подобным способом, содержит, как правило, не только однослойные графеновые чешуйки, но и изогнутые листы, и двухслойные или многослойные образцы графена. Поперечные размеры этих объектов во всех случаях составляли несколько микрометров.

Третий метод - эпитаксиальный. Эпитаксиальное выращивание графена на металлических поверхностях таких монокристаллов, как рутений, иридий, платина, палладий, никель и т.д. В основе этого метода лежит возрастающий характер температурной зависимости растворимости углерода в переходных металлах. При температуре, превышающей 1000°С, в присутствии какого-либо источника углерода в результате химического осаждения углерода из газовой фазы происходит насыщение металла. Далее, в высоком или ультравысоком вакууме при давлении 10^(-10) миллибар и понижении температуры подложки растворимость углерода в металле значительно падает, и за счёт термического сжатия кристаллической решётки кристалла углерод выходит на поверхность, формируя графеновые домены большой площади (рис. 5). Безусловно, для каждого из перечисленных металлов существуют определённые условия синтеза монослоя графена, но механизм синтеза, а также преимущества и недостатки изготовления образцов таким методом для всех подложек одинаковы. К положительным сторонам этого подхода к синтезу графена является особенность формирования исключительно тонких и достаточно масштабных образцов, содержащих один или два слоя, и имеющих размеры высокоориентированных кластеров до 200 мкм. Также к плюсам этого подхода относится возможность изучения кристаллической решётки графена с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Но с другой стороны, графен, образованный на поверхности металлической подложки не может быть перенесён на какую-либо другую подложку без повреждения металла, который, в свою очередь является весьма дорогостоящим расходным материалом.

Другой разновидностью эпитаксиального роста графена является термическое разложение карбида кремния. В условиях вакуума или при давлении аргона 10-900 мбар подложка из 6H-SiC(0001) нагревается со скоростью 2-3 градуса в секунду до температуры 1500-2000°С и затем с такой же скоростью охлаждается по истечению нескольких минут. Метод кажется  простым и эффективным, но было показано, что качество синтезируемых образцов сильно зависит от степени совершенства структуры исходного кристалла. Преимущества подобного подхода связаны, в первую очередь, с тем, что размер синтезируемых образцов при хорошем качестве кристалла может быть сопоставим с размерами самого кристалла. Кроме того, для исследования электрических характеристик графена его необходимо располагать на диэлектрической подложке, поэтому благодаря свойствам SiC не возникает необходимости переноса графена на другие подложки. Но всё же изготовление конечных устройств на основе графена при его синтезе данным методом не представляется возможным из-за сложности переноса графена на конечную подложку.

Рис.5 Схематическое изображение основных процессов, происходящих при эпитаксиальном росте графена из углеводородных молекул Е.

1) Они оседают на поверхности, подвергаются разложению через ряд реакций дегидрирования, приводящих к различным видам CxHy, показанными как Ed и Н-атомов. Новые виды диффундируют через поверхность. Меньшие формы углерода М и D не диффундируют, а слипаются в более крупные кластеры атомов С. Атомы Н исходной молекулы мигрируют с поверхности и формируют молекулу водорода, которая испаряется с поверхности. И, наконец, некоторые из таких кформ, как М и D, или даже их больших кластеров C, может присоединятьк острову G на ее краю [51].  

Рис. 6. Схема формирования графеновой плёнки на поверхности никеля или меди с помощью метода химического газофазного осаждения [42].

Четвёртый метод - химическое газофазное осаждение (от англ. chemical vapor deposition - CVD). Уже в 1976 году было известно о синтезе графита на никеле. Было показано, что при температуре 900°C на металлической подложке возможно формирование графитовой плёнки толщиной 400 Ǻ. Механизм образования графитоподобной плёнки весьма прост (рис. 6). В смеси углеродсодержащего газа, водорода и аргона при различных давлениях (от нескольких долей милиторра до атмосферного) при нагревании происходит разложение на углерод и составляющие при температурах ниже 400°С. Далее, при повышении температуры атомы углерода осаждаются на никелевую подложку, начиная с 650°С. При температурах выше 800°С они начинают диффундировать в объём никеля. Нагрев останавливается при температурах 950-1000°С, и затем, при охлаждении образца до комнатной температуры кристаллическая решётка металла (вследствие термического сжатия) выдавливает атомы углерода на поверхность, где они формируют графитоподобную структуру, так как постоянная решётки никеля очень близка к постоянной решётке графита. При подборе определённых параметров синтеза, таких как толщина никелевой плёнки, максимальная температура синтеза, время синтеза и скорость охлаждения образца, можно добиться формирования тонкой графеновой плёнки - вплоть до получения монослоя графена.

Формирование графеновой плёнки на поверхности медной поликристаллической подложки несколько отличается от процесса на никелевой подложке. Так как растворимость углерода в меди примерно в 1000 раз меньше, чем в никеле, то после разложения углеродсодержащего газа и осаждения углерода на поверхности меди диффузия в объём не происходит. С увеличением температуры медной подложки увеличивается вероятность образования графеновой плёнки и площадь, покрываемая ей. При этом на меди невозможно образование многослойных графеновых листов, так как медь является катализатором при осаждении углерода. При покрытии монослоем графена поверхности меди образование последующих слоёв становится очень маловероятным. Этот метод очень перспективным для масштабного производства графена. И именно этот метод использует компания Русграфен при изготволении своих образцов графена.

Список использованной литературы:

[1]. H. W. Kroto, J. R. Heath, S. C. O’Brien, R. F. Curl, R. E. Smalley, “C60: Buckminsterfullerene”, Nature 318, 162 – 163 (1985).

[2]. S. Iijima, “Helical microtubules of graphitic carbon”, Nature 354, 56 – 58 (1991).

[3]. P. R. Wallace, “The Band Theory of Graphite”, Physical Review 71, 622–634 (1947).

[4]. D. P. DiVincenzo, E. J. Mele, “Self-consistent effective-mass theory for intralayer screening in graphite intercalation compounds”, Physical Review B 29, 1685–1694 (1984).

[5]. T. W. Ebbesen, H. Hiura, “Graphene in 3-dimensions: Towards graphite origami” Advanced Materials 7, 582–586 (1995).

[6]. A. K. Geim, K. S. Novoselov, “The rise of graphene”, Nature Materials 6, 183 - 191 (2007).

[7]. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I.  V. Grigorieva, A. A. Firsov, “Electric field effect in atomically thin carbon films”, Science 306, 666–669 (2004).

[8]. M. I. Katsnelson, “Graphene: carbon in two dimensions”, Materials Today 10 (1–2), 20–27 (2007).

[9]. B. T. Kelly, “Physics of Graphite”, Applied Science Publishers (1981).

[10]. H. P. Boehm, A. Clauss, G. Fischer, U. Hofmann, “Surface properties of extremely thin graphite lamellae”, Proc. of the Fifth Conference on Carbon, Pergamon Press, London, 73 (1962).

[11]. H. P. Boehm, A. Clauss, G. O. Fischer, U. Hofmann, “Dünnste kohlenstoff-folien”, Z. Naturforsch. B, 17, 150 (1962).

[12]. M. Eizenberg, J. M. Blakely, “Carbon monolayer phase condensation on Ni(111)”, Surface Science 82(1), 228–236 (1979).

[13]. T. Aizawa, R. Souda, S. Otani, Y. Ishizawa, C. Oshima, “Anomalous bond of monolayer graphite on transition-metal carbide surfaces”, Physical Review Letters 64, 768-771 (1990).

[14]. A. J. Van Bommel, J. E. Crombeen, A. Van Tooren, “LEED and Auger electron observations of the SiC(0001) surface”, Surface Science 48(2), 463–472, (1975).

[15]. I. Forbeaux, J.-M. Themlin, J.-M. Debever, “Heteroepitaxial graphite on 6H-SiC(0001): Interface formation through conduction-band electronic structure”, Physical Review B 58, 16396–16406 (1998).

[16]. B. Z. Jang, A. Zhamu, “Processing of nanographene platelets (NGPs) and NGP nanocomposites: a review”, Journal of Materials Science 43(15), 5092-5101 (2008).

[17]. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, “Two-dimensional atomic crystals”, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America 102(30), 10451-10453 (2005).

[18]. J. C. Meyer, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, T. J. Booth, S. Roth, “The structure of suspended graphene sheets”, Nature (London) 446, 60 (2007).

[19]. K. P. Loh, Q. Bao, P. K. Ang, J. Yang, “The chemistry of graphene”, Journal of Materials Chemistry  20, 2277-2289 (2010).

[20]. S. Park, R. S. Ruoff, “Chemical methods for the production of graphenes”, Nature Nanotechnology 4, 217-224 (2009).

[21]. O. C. Compton, S. T. Nguyen, “Graphene Oxide, Highly Reduced Graphene Oxide, and Graphene: Versatile Building Blocks for Carbon-Based Materials” Small 6, 711–723 (2010).

[22]. S. Marchini, S. Günther, J. Wintterlin, “Scanning tunneling microscopy of graphene on Ru(0001)”, Physical Review B 76, 075429-1 – 075429-9 (2007).

[23]. Y. Pan, H. Zhang, D. Shi, J. Sun, S. Du, F. Liu, H.-J. Gao, “Highly Ordered, Millimeter-Scale, Continuous, Single-Crystalline Graphene Monolayer Formed on Ru (0001)”, Advanced Materials 21, 2777–2780 (2009).

[24]. P. W. Sutter, J.-I. Flege, E. A. Sutter, “Epitaxial graphene on ruthenium”, Nature Materials 7, 406 - 411 (2008).

[25]. R. van Gastel, A. T. N’Diaye, D. Wall, J. Coraux, C. Busse, N. M. Buckanie, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn von Hoegen, T. Michely, B. Poelsema, “Selecting a single orientation for millimeter sized graphene sheets”, Applied Physics Letters 95, 121901-1 – 121901-3 (2009).

[26]. J. Coraux, A. T. N‘Diaye, C. Busse, Thomas Michely, “Structural Coherency of Graphene on Ir(111)”, Nano Letters 8(2), 565–570 (2008).

[27]. T. N'Diaye1, J. Coraux, T. N. Plasa, C. Busse, T. Michely, “ Structure of epitaxial graphene on Ir(111)”, New Journal of Physics 10, 043033 (2008).

[28]. T.A. Land, T. Michely, R.J. Behm, J.C. Hemminger, G. Comsa, “STM investigation of single layer graphite structures produced on Pt(111) by hydrocarbon decomposition”, Surface Science 264(3), 261–270 (1992).

[29]. P. Sutter, J. T. Sadowski, E. Sutter “Graphene on Pt(111): Growth and substrate interaction”, Physical Review B 80, 245411-1 – 245411-10 (2009).

[30]. M. Gao, Y. Pan, L. Huang, H. Hu, L. Z. Zhang, H. M. Guo, S. X. Du, and H.-J. Gao, “Epitaxial growth and structural property of graphene on Pt(111)”, Applied Physics Letters 98, 033101-1 – 033101-3 (2011).

[31]. S.-Y. Kwon, C. V. Ciobanu, V. Petrova, V. B. Shenoy, J. Bareño, V. Gambin, I. Petrov, S. Kodambaka, “Growth of Semiconducting Graphene on Palladium”, Nano Letters 9 (12), 3985–3990 (2009).

[32]. Y. Murata, E. Starodub, B. B. Kappes, C. V. Ciobanu, N. C. Bartelt, K. F. McCarty, S. Kodambaka, “Orientation-dependent work function of graphene on Pd(111)”, Applied Physics Letters 97, 143114-1 – 143114-3 (2010).

[33]. Д. Ю. Усачёв, А. М. Добротворский, А. М. Шикин, В. К. Адамчук, А. Ю. Варыхалов, O. Rader, W. Gudat, “Морфология графена на поверхностях монокристалла Ni. Экспериментальное и теоретическое исследование”, Известия РАН. Серия физическая. 73 (5), 719–722 (2009).

[34]. D. Usachov, A. M. Dobrotvorskii, A. Varykhalov, O. Rader, W. Gudat, A. M. Shikin, V. K. Adamchuk, “Experimental and theoretical study of the morphology of commensurate and incommensurate graphene layers on Ni single-crystal surfaces”, Physical Review B. 78, 085403-1 – 085403-9 (2008).

[35]. Yu. S. Dedkov, M. Fonin, U. Rüdiger, C. Laubschat, “ Graphene-protected iron layer on Ni(111)”, Applied Physics Letters 93, 022509 (2008).

[36]. E. Rollings, G. Gweon, S. Zhou, B. Mun, J. Mcchesney, B. Hussain, A. Fedorov, P. First, W. Deheer, A. Lanzara, “Synthesis and characterization of atomically thin graphite films on a silicon carbide substrate”, Journal of Physics and Chemistry of Solids 67(9-10), 2172-2177 (2006).

[37].  L. B. Biedermann, M. L. Bolen, M. A. Capano, D. Zemlyanov, R. G. Reifenberger, “Insights into few-layer epitaxial graphene growth on 4H-SiC(0001) substrates from STM studies”, Physical Review B 79, 125411-1 – 125411-10 (2009).

[38]. C. Berger, Z. Song, X. Li, X. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, W. A. de Heer, “Electronic Confinement and Coherence in Patterned Epitaxial Graphene”, Science 312 (5777), 1191-1196 (2006).

[39]. K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, J. Röhrl, E. Rotenberg, A. K. Schmid, D. Waldmann, H. B. Weber, T. Seyller, “Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide”, Nature Materials 8, 203-207 (2009).

[40]. A.-S. Johansson, J. Lu, J.-O. Carlsson, “TEM investigation of CVD graphite on nickel”, Thin Solid Films 252(1), 19–25 (1994).

[41]. A. N. Obraztsov, E. A. Obraztsova, A. V. Tyurnina, A. A. Zolotukhin, “Chemical vapor deposition of thin graphite films of nanometer thickness”, Carbon, 45(10), 2017–2021 (2007).

[42]. Q. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y. P. Chen, S.-S. Pei, “Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators”, Applied Physics Letters 93, 113103-1 – 113103-3 (2008).

[43]. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, “Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition”, Nano Letters 9 (1), 30-35 (2009).

[44].  K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, B. H. Hong, “Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes”, Nature 457, 706-710 (2009).

[45]. H. Cao, Q. Yu, R. Colby, D. Pandey, C. S. Park, J. Lian, D. Zemlyanov, I. Childres, V. Drachev, E. A. Stach, M. Hussain, H. Li, S. S. Pei, Y. P. Chen, “Large-scale graphitic thin films synthesized on Ni and transferred to insulators: Structural and electronic properties”, Journal of Applied Physics 107, 044310-1 – 044310-7 (2010).

[46]. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, Rodney S. Ruoff, “Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils”, Science 324, 1312-1314 (2009).

[47]. X. Li, Y. Zhu, W. Cai, M. Borysiak, B. Han, D. Chen, R. D. Piner, L. Colombo, R. S. Ruoff, “Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes”, Nano Letters 9(12), 4359-63 (2009).

[48]. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, “Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes”, Nature Nanotechnology 5, 574–578 (2010).

[49].  C. Mattevi, H. Kim, M. Chhowalla , “A review of chemical vapour deposition of graphene on copper”, Journal of Materials Chemistry 21, 3324-3334 (2011).

[50]. Е. Д. Грайфер, В. Г. Макотченко, А. С. Назаров, С.-Дж. Ким, В. Е. Фёдоров, “Графен: химические подходы к синтезу и модификации”, Успехи химии 80 (8), 784-804 (2011).

[51]. H. Tetlow, J. Posthuma de Boer, I.J. Ford, D.D. Vvedensky, J. Coraux, L. Kantorovich, "Growth of epitaxial graphene: Theory and experiment" , Physics Reports 542 (3), 195-295 (2014).